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SCTWA35N65G2V
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247LL
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA35N65G2VCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark50AJ6010
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 19 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 15.010 |
| 10+ | $ 12.490 |
| 25+ | $ 12.240 |
| 50+ | $ 11.990 |
| 100+ | $ 11.740 |
| 250+ | $ 11.490 |
| 500+ | $ 11.240 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 15.01
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA35N65G2VCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark50AJ6010
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleHiP247LL
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation Pd240W
Power Dissipation240W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation
240W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
HiP247LL
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
240W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto