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SCTWA35N65G2V-4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA35N65G2V-4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark74AJ1812
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 17.830 |
| 10+ | $ 13.610 |
| 25+ | $ 13.060 |
| 60+ | $ 12.510 |
| 120+ | $ 11.960 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 17.83
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA35N65G2V-4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark74AJ1812
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation240W
Power Dissipation Pd240W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation Pd
240W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
240W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto