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SCT10N120
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT10N120Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark07AH6931
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCT10N120Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark07AH6931
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.5ohm
On Resistance Rds(on)0.5ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.5ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
150W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.5ohm
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
200°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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