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PD57060-E
RF FET Transistor, 65 V, 7 A, 79 W, 1 GHz, PowerSO-10RF
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricantePD57060-ECópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark07AH6877
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 62.690 |
| 5+ | $ 57.250 |
| 10+ | $ 51.810 |
| 25+ | $ 49.640 |
| 50+ | $ 47.460 |
| 100+ | $ 46.110 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 62.69
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricantePD57060-ECópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark07AH6877
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id7A
Power Dissipation79W
Power Dissipation Pd79W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max1GHz
Transistor Case StylePowerSO-10RF
No. of Pins-
RF Transistor CasePowerSO-10RF
Operating Temperature Max165°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
79W
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
PowerSO-10RF
RF Transistor Case
PowerSO-10RF
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Drain Current Id
7A
Power Dissipation Pd
79W
Operating Frequency Max
1GHz
No. of Pins
-
Operating Temperature Max
165°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidade do produto