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MJD112T4
Darlington Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteMJD112T4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark06X0511
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.020 |
| 10+ | $ 0.636 |
| 100+ | $ 0.415 |
| 500+ | $ 0.319 |
| 1000+ | $ 0.289 |
| 2500+ | $ 0.255 |
| 10000+ | $ 0.205 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 5.10
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteMJD112T4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark06X0511
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Power Dissipation Pd20W
Continuous Collector Current2A
DC Collector Current2A
Power Dissipation20W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE200hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transition Frequency25MHz
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
100V
Continuous Collector Current
2A
Power Dissipation
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
200hFE
Transition Frequency
25MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Power Dissipation Pd
20W
DC Collector Current
2A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Alternativas para MJD112T4
3 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos