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A2F12M12W2-F1
Silicon Carbide MOSFET, FourPack, Four N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.013 ohm, ACEPACK 2
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteA2F12M12W2-F1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark33AK8544
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 28 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 206.230 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 206.23
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteA2F12M12W2-F1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark33AK8544
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationFourPack
Channel TypeFour N Channel
Transistor PolarityFour N Channel
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.013ohm
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StyleACEPACK 2
No. of Pins34Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
FourPack
Transistor Polarity
Four N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
No. of Pins
34Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
-
Product Range
-
Channel Type
Four N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.013ohm
Transistor Case Style
ACEPACK 2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto