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GD300HFX65C8SN
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 650V, 343A
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FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD300HFX65C8SNCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5729
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 70.870 |
| 5+ | $ 68.970 |
| 10+ | $ 66.990 |
| 32+ | $ 65.990 |
| 64+ | $ 65.020 |
| 112+ | $ 61.130 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 70.87
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD300HFX65C8SNCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5729
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current343A
DC Collector Current343A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation819W
Power Dissipation Pd819W
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
343A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation Pd
819W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
343A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation
819W
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto