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GD150HFY120C8S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 291A
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FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD150HFY120C8SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark84AH5714
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 80.320 |
| 5+ | $ 78.720 |
| 10+ | $ 77.050 |
| 32+ | $ 76.210 |
| 64+ | $ 75.390 |
| 112+ | $ 72.110 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 80.32
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD150HFY120C8SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark84AH5714
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current291A
Continuous Collector Current291A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation Pd1.102kW
Power Dissipation1.102kW
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
291A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation
1.102kW
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
291A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation Pd
1.102kW
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto