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GD100HFX170C1S
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.7KV, 168A
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FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD100HFX170C1SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5699
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 67.880 |
| 5+ | $ 66.530 |
| 10+ | $ 65.120 |
| 48+ | $ 64.410 |
| 72+ | $ 63.720 |
| 120+ | $ 60.940 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 67.88
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Informação do produto
FabricanteSTARPOWER
Nº da peça do fabricanteGD100HFX170C1SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark84AH5699
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current168A
DC Collector Current168A
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Power Dissipation Pd632W
Power Dissipation632W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
168A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation
632W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
168A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation Pd
632W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Junction Temperature, Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto