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SKM300GB12E4
IGBT Module, Half Bridge, 422 A, 1.85 V, 125 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM300GB12E4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77R2572
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 26 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 12+ | $ 245.720 |
| 24+ | $ 239.170 |
| 36+ | $ 232.610 |
| 60+ | $ 226.060 |
| 120+ | $ 216.230 |
| 300+ | $ 211.910 |
| 600+ | $ 207.580 |
| 1200+ | $ 203.260 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 12
Vários: 12
$ 2,948.64
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM300GB12E4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77R2572
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual NPN
Continuous Collector Current422A
DC Collector Current422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Descrição geral do produto
The SKM300GB12E4 is a SEMITRANS® 3 IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
-
Transistor Polarity
Dual NPN
DC Collector Current
422A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (1)
Alternativas para SKM300GB12E4
4 produtos encontrados
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto