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SKM100GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 159 A, 1.75 V, 175 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM100GB12VCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77R2546
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 26 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 114.010 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 8
Vários: 8
$ 912.08
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSKM100GB12VCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77R2546
Ficha técnica
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current159A
Continuous Collector Current159A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature, Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyV-IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Descrição geral do produto
The SKM100GB12V is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Aplicações
Power Management, Maintenance & Repair
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
159A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature, Tj Max
175°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
159A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
V-IGBT
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto