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SK 85 MH 10 T
Bipolar (BJT) Single Transistor, Enhancement Mode, N Channel, 80 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 3.3 V
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSK 85 MH 10 TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77R2365
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 26 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 15+ | $ 104.400 |
| 25+ | $ 102.310 |
| 50+ | $ 100.220 |
| 100+ | $ 98.140 |
| 250+ | $ 96.050 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 15
Vários: 15
$ 1,566.00
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSK 85 MH 10 TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77R2365
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
On Resistance Rds(on)0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Descrição geral do produto
The SK85MH10T from Semikron is an half bridge configured MOSFET Module in SEMITOP 2 case style designed through Trench gate technology. This device features compact design, heat transfer and isolation through direct copper bonding aluminium oxide ceramic, short internal connection and low inductance case. SK85MH10Tis used in switched mode power supplies and DC servo drives.
- Drain to source voltage (Vds) of 100V
- Gate to source voltage (Vgs) of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 80A
- Operating junction temperature of -40°C to 150°C
Aplicações
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0075ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto