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SEMIX653GB176HDS
IGBT Module, Dual, 619 A, 2.45 V, 150 °C, SEMiX 3s
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FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX653GB176HDSCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark16M0126
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 26 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 361.930 |
| 10+ | $ 356.800 |
| 25+ | $ 336.260 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 6
Vários: 6
$ 2,171.58
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX653GB176HDSCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark16M0126
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current619A
Continuous Collector Current619A
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.45V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2V
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleSEMiX 3s
IGBT TerminationStud
No. of Pins16Pins
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.2V
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
619A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
619A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.45V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2V
Transistor Case Style
SEMiX 3s
No. of Pins
16Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2V
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto