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SEMIX653GAL176HDS
IGBT Module, Single, 619 A, 2 V, 150 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 321.000 |
| 10+ | $ 317.630 |
| 25+ | $ 304.190 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 6
Vários: 6
$ 1,926.00
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX653GAL176HDS
Código Newark77R2149
Ficha técnica
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityNPN
Continuous Collector Current619A
DC Collector Current619A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature, Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Single
Continuous Collector Current
619A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Product Range
-
Transistor Polarity
NPN
DC Collector Current
619A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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