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SEMIX453GAL12E4S
IGBT Module, Single, 683 A, 1.8 V, 125 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX453GAL12E4S
Código Newark77R2132
Gama de produtosSEMiX Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 230.330 |
| 10+ | $ 225.580 |
| 25+ | $ 223.200 |
| 50+ | $ 220.830 |
| 100+ | $ 211.330 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 6
Vários: 6
$ 1,381.98
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX453GAL12E4S
Código Newark77R2132
Gama de produtosSEMiX Series
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current683A
DC Collector Current683A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature, Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMiX Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
683A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
-
Product Range
SEMiX Series
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
683A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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