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SEMIX303GD12E4C
IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 466 A, 1.8 V, 125 °C, Module
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FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX303GD12E4C
Código Newark77R2119
Gama de produtosSEMiX Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1,871.140 |
| 5+ | $ 1,851.750 |
| 10+ | $ 1,832.360 |
| 25+ | $ 1,754.800 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 2
Vários: 2
$ 3,742.28
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX303GD12E4C
Código Newark77R2119
Gama de produtosSEMiX Series
Ficha técnica
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
Transistor PolaritySix NPN
DC Collector Current466A
Continuous Collector Current466A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature, Tj Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMiX Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
DC Collector Current
466A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature, Tj Max
125°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
SEMiX Series
Transistor Polarity
Six NPN
Continuous Collector Current
466A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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