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SEMIX151GAR12E4S
IGBT Module, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Module
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FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX151GAR12E4SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77R2099
Gama de produtosSEMiX Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 26 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 94.020 |
| 10+ | $ 92.110 |
| 25+ | $ 91.160 |
| 50+ | $ 90.200 |
| 100+ | $ 86.380 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 8
Vários: 8
$ 752.16
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX151GAR12E4SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark77R2099
Gama de produtosSEMiX Series
Ficha técnica
Transistor PolarityNPN
IGBT Configuration-
Continuous Collector Current232A
DC Collector Current232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMiX Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
SEMiX Series
IGBT Configuration
-
DC Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto