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SEMIX151GAR12E4S
IGBT Module, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX151GAR12E4S
Código Newark77R2099
Gama de produtosSEMiX Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 94.020 |
| 10+ | $ 92.110 |
| 25+ | $ 91.160 |
| 50+ | $ 90.200 |
| 100+ | $ 86.380 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 8
Vários: 8
$ 752.16
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX151GAR12E4S
Código Newark77R2099
Gama de produtosSEMiX Series
Ficha técnica
IGBT Configuration-
Transistor PolarityNPN
Continuous Collector Current232A
DC Collector Current232A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMiX Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
-
Continuous Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
SEMiX Series
Transistor Polarity
NPN
DC Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto