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SEMIX151GAL12VS
IGBT Module, Single, 231 A, 1.75 V, 125 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX151GAL12VS
Código Newark79X3167
Gama de produtosSEMiX Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 109.000 |
| 10+ | $ 106.790 |
| 25+ | $ 105.680 |
| 50+ | $ 104.580 |
| 100+ | $ 100.150 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 8
Vários: 8
$ 872.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX151GAL12VS
Código Newark79X3167
Gama de produtosSEMiX Series
Ficha técnica
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityNPN
DC Collector Current231A
Continuous Collector Current231A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature, Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMiX Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
231A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
SEMiX Series
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
231A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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