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SEMIX151GAL12E4S
IGBT Module, 232 A, 1.8 V, 125 °C, Module
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX151GAL12E4S
Código Newark77R2097
Gama de produtosSEMiX Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 25 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 94.780 |
| 10+ | $ 92.850 |
| 25+ | $ 91.890 |
| 50+ | $ 90.930 |
| 100+ | $ 87.080 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 8
Vários: 8
$ 758.24
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX151GAL12E4S
Código Newark77R2097
Gama de produtosSEMiX Series
Ficha técnica
IGBT Configuration-
Transistor PolarityNPN
DC Collector Current232A
Continuous Collector Current232A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature, Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
IGBT Technology-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor MountingPanel
Product RangeSEMiX Series
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
-
DC Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation
-
Junction Temperature, Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Product Range
SEMiX Series
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
232A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Technology
-
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto