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SEMIX 653GD176HDC
IGBT Module, Dual, 660 A, 2.45 V, 150 °C, SEMiX 33c
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 27 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2,816.440 |
| 5+ | $ 2,777.050 |
| 10+ | $ 2,737.660 |
| 25+ | $ 2,580.100 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 2
Vários: 2
$ 5,632.88
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Informação do produto
FabricanteSEMIKRON
Nº da peça do fabricanteSEMIX 653GD176HDC
Código Newark09J5173
Ficha técnica
IGBT ConfigurationDual
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current660A
Continuous Collector Current660A
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.45V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature, Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Transistor Case StyleSEMiX 33c
No. of Pins29Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Especificações Técnicas
IGBT Configuration
Dual
DC Collector Current
660A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature, Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
No. of Pins
29Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
660A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.45V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
SEMiX 33c
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench]
Product Range
-
Documentação técnica (3)
Produtos associados
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jun-2015)
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Certificado de conformidade do produto