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SCT4036KW7TL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.036 ohm, TO-263
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT4036KW7TLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AK7116RL
Segmento de fita29AK7116
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 17.970 | $ 17.97 |
| Total Preço | $ 17.97 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 17.970 |
| 10+ | $ 12.940 |
| 25+ | $ 12.500 |
| 50+ | $ 12.070 |
| 100+ | $ 11.640 |
| 250+ | $ 11.380 |
| 500+ | $ 11.130 |
| 1000+ | $ 10.880 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT4036KW7TLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rodo à Medida29AK7116RL
Segmento de fita29AK7116
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.036ohm
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSL-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Power Dissipation Pd
150W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.036ohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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