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SCT4026DW7TL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 51 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-263
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT4026DW7TLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark29AK7113
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980 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 17.470 |
| 10+ | $ 13.300 |
| 25+ | $ 12.690 |
| 50+ | $ 12.070 |
| 100+ | $ 11.460 |
| 250+ | $ 11.430 |
| 500+ | $ 11.400 |
| 1000+ | $ 10.700 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 17.47
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT4026DW7TLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark29AK7113
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds750V
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation Pd150W
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSL-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Power Dissipation
150W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
51A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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