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SCT4026DRC15
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 56 A, 750 V, 0.026 ohm, TO-247
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT4026DRC15Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark29AK7112
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 14.500 |
| 10+ | $ 10.570 |
| 25+ | $ 10.370 |
| 50+ | $ 10.170 |
| 100+ | $ 9.980 |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT4026DRC15Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark29AK7112
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source Voltage Vds750V
On Resistance Rds(on)0.026ohm
Drain Source On State Resistance0.026ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation Pd176W
Power Dissipation176W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
MSL-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Drain Source On State Resistance
0.026ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Power Dissipation
176W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
On Resistance Rds(on)
0.026ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
176W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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