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SCT3160KW7HRTL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3160KW7HRTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rodo à Medida67AK5241RL
Segmento de fita67AK5241
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 8.550 | $ 8.55 |
| Total Preço | $ 8.55 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.550 |
| 10+ | $ 7.320 |
| 25+ | $ 6.700 |
| 50+ | $ 6.080 |
| 100+ | $ 5.450 |
| 250+ | $ 5.330 |
| 500+ | $ 5.210 |
| 1000+ | $ 5.090 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3160KW7HRTLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark
Rodo à Medida67AK5241RL
Segmento de fita67AK5241
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
100W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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