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SCT3120AW7TL
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 21 A, 650 V, 0.12 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3120AW7TLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark93AH0363
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 10.910 |
| 10+ | $ 7.930 |
| 25+ | $ 7.570 |
| 50+ | $ 7.210 |
| 100+ | $ 6.850 |
| 250+ | $ 6.640 |
| 500+ | $ 6.440 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3120AW7TLCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark93AH0363
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.12ohm
On Resistance Rds(on)0.12ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Power Dissipation Pd100W
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.12ohm
No. of Pins
7Pins
Power Dissipation Pd
100W
Power Dissipation
100W
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidade do produto