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SCT3017ALGC11
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3017ALGC11Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark81AC5489
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 32 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 85.630 |
| 5+ | $ 85.080 |
| 10+ | $ 84.510 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 85.63
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteSCT3017ALGC11Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark81AC5489
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id118A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleTO-247N
Power Dissipation Pd427W
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation427W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Power Dissipation Pd
427W
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
427W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
118A
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Case Style
TO-247N
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos