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RS1L151ATTB1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 56 A, 0.0113 ohm, HSOP, Surface Mount
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRS1L151ATTB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6129
Rodo à Medida15AJ3140RL
Segmento de fita15AJ3140
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 2.420 | $ 12.10 |
| Total Preço | $ 12.10 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 2.420 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRS1L151ATTB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6129
Rodo à Medida15AJ3140RL
Segmento de fita15AJ3140
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance0.0113ohm
On Resistance Rds(on)0.0089ohm
Transistor Case StyleHSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd3W
Power Dissipation3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0113ohm
Transistor Case Style
HSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
3W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
56A
On Resistance Rds(on)
0.0089ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidade do produto