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RS1G201ATTB1
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 78 A, 0.0052 ohm, HSOP, Surface Mount
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRS1G201ATTB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6128
Rodo à Medida91AH8988RL
Segmento de fita91AH8988
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 1.620 | $ 8.10 |
| Total Preço | $ 8.10 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 1.620 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2500+ | $ 1.220 |
| 5000+ | $ 1.180 |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRS1G201ATTB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6128
Rodo à Medida91AH8988RL
Segmento de fita91AH8988
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id78A
On Resistance Rds(on)0.0042ohm
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleHSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation40W
Power Dissipation Pd40W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0042ohm
Transistor Case Style
HSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
40W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
78A
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
40W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto