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RQ3E120ATTB
MOSFET, P-CH, -30V, -39A, HSMT
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRQ3E120ATTBCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark10AC8918
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.180 |
| 10+ | $ 0.743 |
| 25+ | $ 0.657 |
| 50+ | $ 0.573 |
| 100+ | $ 0.487 |
| 250+ | $ 0.433 |
| 500+ | $ 0.377 |
| 1000+ | $ 0.342 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.18
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRQ3E120ATTBCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark10AC8918
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id39A
On Resistance Rds(on)0.0061ohm
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleHSMT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd20W
Power Dissipation20W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0061ohm
Transistor Case Style
HSMT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
20W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
20W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto