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RJ1P10BATTL1
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 105 A, 0.0119 ohm, TO-263AB (D2PAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRJ1P10BATTL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91AM7566RL
Segmento de fita91AM7566
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.840 | $ 5.84 |
| Total Preço | $ 5.84 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.840 |
| 10+ | $ 5.150 |
| 25+ | $ 4.730 |
| 50+ | $ 4.270 |
| 100+ | $ 3.710 |
| 250+ | $ 2.950 |
| 500+ | $ 2.790 |
| 1600+ | $ 2.630 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRJ1P10BATTL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark
Rodo à Medida91AM7566RL
Segmento de fita91AM7566
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id105A
Drain Source On State Resistance0.0119ohm
Transistor Case StyleTO-263AB (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation201W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
105A
Transistor Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
201W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0119ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto