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RGT8NS65DGC9
IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pins
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
Já não é fabricado
Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRGT8NS65DGC9
Código Newark10AH0569
Ficha técnica
Continuous Collector Current8A
DC Collector Current8A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.65V
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation65W
Power Dissipation Pd65W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
Collector Emitter Voltage Max650V
Transistor Case StyleTO-262
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Continuous Collector Current
8A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.65V
Power Dissipation
65W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Case Style
TO-262
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
8A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Power Dissipation Pd
65W
Collector Emitter Voltage Max
650V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos