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RAL025P01TCR
MOSFET, P-CH, -12V, -2.5A, TUMT-6
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRAL025P01TCRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark10AC8624
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 20 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.567 |
| 10+ | $ 0.347 |
| 25+ | $ 0.305 |
| 50+ | $ 0.263 |
| 100+ | $ 0.220 |
| 300+ | $ 0.194 |
| 500+ | $ 0.166 |
| 1000+ | $ 0.148 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 5
Vários: 5
$ 2.84
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteRAL025P01TCRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark10AC8624
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance0.062ohm
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Transistor Case StyleTUMT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd1W
Power Dissipation1W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.062ohm
Transistor Case Style
TUMT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
1W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto