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R8002KND3TL1
MOSFET, N-CH, 800V, 1.6A, TO-252
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.170 | $ 2.17 |
| Total Preço | $ 2.17 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.170 |
| 10+ | $ 1.360 |
| 25+ | $ 1.220 |
| 50+ | $ 1.080 |
| 100+ | $ 0.938 |
| 250+ | $ 0.887 |
| 500+ | $ 0.835 |
| 1000+ | $ 0.698 |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR8002KND3TL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida15AJ3170RL
Segmento de fita15AJ3170
Gama de produtosR8xxxKNx
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance4.2ohm
On Resistance Rds(on)3.5ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation30W
Power Dissipation Pd30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeR8xxxKNx
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
4.2ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
No. of Pins
3Pins
Product Range
R8xxxKNx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
On Resistance Rds(on)
3.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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