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| 1+ | $ 8.790 |
| 10+ | $ 7.130 |
| 25+ | $ 6.770 |
| 50+ | $ 6.490 |
| 100+ | $ 6.240 |
| 250+ | $ 5.950 |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR6535ENZ4C13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark15AJ3167
Gama de produtosR6xxxENx
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.115ohm
On Resistance Rds(on)0.098ohm
Transistor Case StyleTO-247G
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation379W
Power Dissipation Pd379W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeR6xxxENx
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.115ohm
Transistor Case Style
TO-247G
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
379W
No. of Pins
3Pins
Product Range
R6xxxENx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.098ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
379W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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