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R6504KND3TL1
MOSFET, N-CH, 650V, 4A, TO-252
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR6504KND3TL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida37AJ0918RL
Segmento de fita37AJ0918
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92 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.310 | $ 2.31 |
| Total Preço | $ 2.31 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.310 |
| 10+ | $ 1.480 |
| 25+ | $ 1.320 |
| 50+ | $ 1.160 |
| 100+ | $ 1.000 |
| 250+ | $ 0.898 |
| 500+ | $ 0.796 |
| 1000+ | $ 0.730 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR6504KND3TL1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida37AJ0918RL
Segmento de fita37AJ0918
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.955ohm
Drain Source On State Resistance1.05ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd58W
Power Dissipation58W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.955ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
58W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
1.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
58W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidade do produto