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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.750 |
| 10+ | $ 7.580 |
| 25+ | $ 6.420 |
| 50+ | $ 5.250 |
| 100+ | $ 5.070 |
| 250+ | $ 4.880 |
| 500+ | $ 4.780 |
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Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteR6035ENZ4C13Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark15AJ3160
Gama de produtosR6xxxENx
Ficha técnica
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.102ohm
On Resistance Rds(on)0.092ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation379W
Power Dissipation Pd379W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeR6xxxENx
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.102ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
379W
No. of Pins
3Pins
Product Range
R6xxxENx
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
On Resistance Rds(on)
0.092ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
379W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos