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QS6M3TR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteQS6M3TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida74M4157RL
Segmento de fita74M4157
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.862 | $ 0.86 |
| Total Preço | $ 0.86 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.862 |
| 50+ | $ 0.484 |
| 100+ | $ 0.338 |
| 250+ | $ 0.304 |
| 500+ | $ 0.269 |
| 1000+ | $ 0.264 |
| 2500+ | $ 0.258 |
| 5000+ | $ 0.253 |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteQS6M3TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida74M4157RL
Segmento de fita74M4157
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.5A
Continuous Drain Current Id P Channel1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.17ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.215ohm
Transistor Case StyleTSMT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Descrição geral do produto
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
Aplicações
Industrial, Power Management, Portable Devices, Motor Drive & Control
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.215ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.17ohm
Transistor Case Style
TSMT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentação técnica (1)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (23-Jan-2024)
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