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HP8MA2TB1
MOSFET, N& P-CH, 30V, HSOP
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteHP8MA2TB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AC7464RL
Segmento de fita10AC7464
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 23 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.540 | $ 2.54 |
| Total Preço | $ 2.54 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.540 |
| 50+ | $ 1.640 |
| 100+ | $ 1.130 |
| 250+ | $ 1.020 |
| 500+ | $ 0.900 |
| 1000+ | $ 0.872 |
| 2500+ | $ 0.838 |
| 5000+ | $ 0.821 |
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteHP8MA2TB1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida10AC7464RL
Segmento de fita10AC7464
Ficha técnica
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel18A
Continuous Drain Current Id P Channel18A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0096ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0179ohm
Transistor Case StyleHSOP
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel7W
Power Dissipation P Channel7W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
18A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0179ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
7W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
18A
Continuous Drain Current Id N Channel
18A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0096ohm
Transistor Case Style
HSOP
Power Dissipation N Channel
7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto