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BSM300D12P2E001
SIC MOSFET, DUAL N CHANNEL, 1.2KV, 300A
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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteBSM300D12P2E001Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark88AH6165
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 32 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 696.240 |
| 5+ | $ 682.320 |
| 10+ | $ 668.390 |
| 25+ | $ 654.470 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 696.24
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteBSM300D12P2E001Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark88AH6165
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id300A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
On Resistance Rds(on)-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Power Dissipation Pd1.875kW
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation1.875kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
-
No. of Pins
-
Power Dissipation Pd
1.875kW
Power Dissipation
1.875kW
Product Range
-
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
300A
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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