Imprimir página
BSM250D17P2E004
SIC MOSFET, DUAL N CHANNEL, 1.7KV, 250A
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteBSM250D17P2E004Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark88AH6162
Seu número de peça
4 Em Estoque
4 Você pode reservar estoque agora
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1,013.520 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1,013.52
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricanteBSM250D17P2E004Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante30 semanas
Código Newark88AH6162
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id250A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance-
On Resistance Rds(on)-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Power Dissipation Pd1.8kW
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1.8kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
On Resistance Rds(on)
-
No. of Pins
-
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.8kW
Product Range
-
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
250A
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
Module
Power Dissipation Pd
1.8kW
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto