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2SK3065T100
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricante2SK3065T100Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida84R7791RL
Segmento de fita84R7791
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 20 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 1.130 | $ 1.13 |
| Total Preço | $ 1.13 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.130 |
| 10+ | $ 0.705 |
| 25+ | $ 0.625 |
| 50+ | $ 0.547 |
| 100+ | $ 0.468 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricante2SK3065T100Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rodo à Medida84R7791RL
Segmento de fita84R7791
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.32ohm
On Resistance Rds(on)0.25ohm
Transistor Case StyleSOT-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Power Dissipation Pd500mW
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Descrição geral do produto
The 2SK3065T100 is a 60V Silicon N-channel MOSFET with high speed switching and low on resistance.
- Optimum for a pocket resource because of undervoltage actuation (2.5V actuation)
- Driving circuit is easy
- Easy to use and parallel
- Electrostatic discharge protection
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.32ohm
Transistor Case Style
SOT-89
Rds(on) Test Voltage
4V
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
0.25ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
500mW
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Documentação técnica (2)
Alternativas para 2SK3065T100
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (23-Jan-2024)
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Certificado de conformidade do produto