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FabricanteROHM
Nº da peça do fabricante2SK3018T106Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6756
Rodo à Medida40P3488RL
Segmento de fita40P3488
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 0.330 | $ 0.33 |
| Total Preço | $ 0.33 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 0.330 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 3000+ | $ 0.082 |
| 6000+ | $ 0.068 |
| 12000+ | $ 0.059 |
| 18000+ | $ 0.055 |
| 30000+ | $ 0.047 |
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Informação do produto
FabricanteROHM
Nº da peça do fabricante2SK3018T106Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante20 semanas
Código Newark
Rolo completo86AK6756
Rodo à Medida40P3488RL
Segmento de fita40P3488
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100mA
Drain Source On State Resistance8ohm
On Resistance Rds(on)8ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4V
Power Dissipation Pd200mW
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation200mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
The 2SK3018T106 is a N-channel silicon MOSFET offers 30V drain source voltage and ±100mA continuous drain current. It is suitable for use in interfacing, switching applications.
- Low ON-resistance
- Fast switching speed
- 2.5V Low voltage drive makes this device ideal for portable equipment
- Drive circuits can be simple
- Parallel use is easy
Aplicações
Power Management, Portable Devices, Industrial
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100mA
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
200mW
Power Dissipation
200mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Alternativas para 2SK3018T106
1 produto encontrado
Produtos associados
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Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
