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TP70H150G4LSG-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 14.2 A, 0.18 ohm, 11.3 nC, QFN, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP70H150G4LSG-TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM1882RL
Segmento de fita26AM1882
Gama de produtosSuperGaN Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 3.280 | $ 3.28 |
| Total Preço | $ 3.28 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 3.280 |
| 50+ | $ 2.890 |
| 100+ | $ 2.650 |
| 250+ | $ 2.400 |
| 500+ | $ 2.080 |
| 1000+ | $ 1.650 |
| 2500+ | $ 1.570 |
| 5000+ | $ 1.470 |
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Informação do produto
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP70H150G4LSG-TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante16 semanas
Código Newark
Rodo à Medida26AM1882RL
Segmento de fita26AM1882
Gama de produtosSuperGaN Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id14.2A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Typical Gate Charge11.3nC
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
TP70H150G4LSG-TR is a 700V, 150mohm SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Applications include consumer, power adapters, low power SMPS and lighting.
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Transient over-voltage capability and E-mode gate driver operation without zener protection
- Very low QRR
- Reduced crossover loss
- 2kV HBM ESD rating
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly used gate drivers
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
QFN
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
14.2A
Typical Gate Charge
11.3nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto