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TP65H050G4WS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 34 A, 0.06 ohm, 16 nC, TO-247, Through Hole
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FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H050G4WSCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark97AK4779
Gama de produtosSuperGaN Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 11.170 |
| 10+ | $ 9.660 |
| 25+ | $ 8.150 |
| 50+ | $ 6.640 |
| 100+ | $ 6.150 |
| 250+ | $ 5.650 |
| 500+ | $ 5.540 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricanteTP65H050G4WSCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante18 semanas
Código Newark97AK4779
Gama de produtosSuperGaN Series
Ficha técnica
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Typical Gate Charge16nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
34A
Typical Gate Charge
16nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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