Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricante2SK1317-ECópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark67AH3713
Seu número de peça
24 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
Disponível conforme quantidade indicadaPara solicitar uma quantidade maior do que a exibida no inventário, entre em contato com o departamento de vendas
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 14.120 |
| 10+ | $ 13.350 |
| 25+ | $ 12.930 |
| 50+ | $ 12.260 |
| 100+ | $ 11.920 |
| 250+ | $ 11.700 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 14.12
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteRENESAS
Nº da peça do fabricante2SK1317-ECópia
Prazo de entrega padrão do fabricante12 semanas
Código Newark67AH3713
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds1.5kV
Continuous Drain Current Id2.5A
On Resistance Rds(on)9ohm
Drain Source On State Resistance9ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation100W
Power Dissipation Pd100W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Descrição geral do produto
The 2SK1317-E is a 1500V Silicon N-channel MOSFET with high speed power switching and high breakdown voltage. Suitable for switching regulator, DC to DC converter and motor driver applications.
- High speed switching
- Low drive current
- No secondary breakdown
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.5kV
On Resistance Rds(on)
9ohm
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
100W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source On State Resistance
9ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
