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UJ4SC075008L8S
SILICON CARBIDE MOSFET, SINGLE
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4SC075008L8SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark78AK8929
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 30.490 |
| 5+ | $ 26.470 |
| 10+ | $ 22.450 |
| 25+ | $ 22.390 |
| 50+ | $ 22.330 |
| 100+ | $ 22.280 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 30.49
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4SC075008L8SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark78AK8929
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id106A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance8.6mohm
Transistor Case StyleMO-299
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
106A
Drain Source On State Resistance
8.6mohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
MO-299
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
600W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Rastreabilidade de produtos