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UJ4C075060K3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4C075060K3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark78AK8925
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.760 |
| 10+ | $ 9.230 |
| 25+ | $ 8.780 |
| 50+ | $ 8.320 |
| 100+ | $ 7.870 |
| 250+ | $ 7.710 |
| 500+ | $ 7.560 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 13.76
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4C075060K3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante28 semanas
Código Newark78AK8925
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance58mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation155W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
58mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
155W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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