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UJ4C075033B7S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 44 A, 750 V, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4C075033B7SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM1485RL
Segmento de fita49AM1485
Gama de produtosEliteSiC Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 15.400 | $ 15.40 |
| Total Preço | $ 15.40 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 15.400 |
| 10+ | $ 11.000 |
| 25+ | $ 10.390 |
| 50+ | $ 9.790 |
| 100+ | $ 9.180 |
| 250+ | $ 8.970 |
| 500+ | $ 8.780 |
| 1600+ | $ 8.570 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4C075033B7SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM1485RL
Segmento de fita49AM1485
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation197W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
44A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
197W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto