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UJ4C075023L8S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 64 A, 750 V, 0.029 ohm, SOIC
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4C075023L8SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM1484RL
Segmento de fita49AM1484
Gama de produtosEliteSiC Series
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1,994 Em Estoque
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 19.780 | $ 19.78 |
| Total Preço | $ 19.78 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 19.780 |
| 10+ | $ 14.070 |
| 25+ | $ 13.510 |
| 50+ | $ 12.960 |
| 100+ | $ 12.400 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4C075023L8SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark
Rodo à Medida49AM1484RL
Segmento de fita49AM1484
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation278W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
278W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto