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UJ3N120065K3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ3N120065K3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark78AK8914
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 15.220 |
| 10+ | $ 14.230 |
| 25+ | $ 13.520 |
| 50+ | $ 12.820 |
| 100+ | $ 12.360 |
| 250+ | $ 11.860 |
| 500+ | $ 11.640 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 15.22
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ3N120065K3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark78AK8914
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance66mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max-4.7V
Power Dissipation254W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
66mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-4.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
254W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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